英飛凌專*的無鉛黏晶（芯片粘接） 175μm），為功率半導(dǎo)體提供多項改良：

　　環(huán)保的技術(shù)：不使用線索及其他有毒物質(zhì)。

　　擴散焊接黏晶技術(shù)結(jié)合薄晶圓制程：大幅降低封裝的導(dǎo)通電阻值的RDS（on）。

　　熱阻（RthJC）改善率高達40 - 50％：傳統(tǒng)的軟線索焊料的熱傳導(dǎo)能力不佳，阻礙了​​MOSFET的接面之散熱。

　　其他優(yōu)點還包括：由于沒有焊錫流量跡（出血）及晶片傾斜（芯片tiltness）的問題，以及更收斂的RDS（ON）與RthJC

　　從新款的OptiMOS T2 40V（如：IPB160N04S4 - 02D，160A）的規(guī)格產(chǎn)品得知，其RDS（ON）僅2.0mΩ且RthJC僅0.9K / W相較于使用標準線索焊接的同類產(chǎn)品，其導(dǎo)通電阻降低了約20％的OptiMOS T2的產(chǎn)品擁有同級產(chǎn)品中最佳效能。

　　上市時間

　　OtpiMOS T2為業(yè)界率先采用至無鉛封裝的車用電源的MOSFET的，系列產(chǎn)品包括IPB160N04S4 - 02D（160A，TO - 263封裝），IPB100N04S4 - 02D（100A，TO - 263），IPP100N04S4 - 03D（100A，TO - 220 ）以及IPI100N04S4 - 03D（100A，TO - 262）皆已上市。